时间：2025/4/28 11:10:15
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IPD031N03L G 是一款由 Infineon（英飞凌）生产的 N 沟道增强型功率 MOSFET。该器件采用 SMD 封装，具有低导通电阻和高效率的特性，适用于多种开关电源、DC-DC 转换器、电机驱动等应用领域。
这款 MOSFET 的设计目标是满足高效能需求的应用场合，同时其封装形式有助于简化电路板布局并提高系统的可靠性。
最大漏源电压：30V
连续漏极电流：31A
导通电阻：2.5mΩ
栅极电荷：7nC
总电容：980pF
工作温度范围：-55℃ to 150℃
IPD031N03L G 具有以下主要特点：
1. 极低的导通电阻，可显著减少功率损耗。
2. 快速开关性能，能够支持高频操作，降低开关损耗。
3. 高雪崩能量能力，提高了在过载或短路情况下的耐用性。
4. 小巧的封装设计，便于 PCB 布局优化。
5. 可靠的热性能，确保在高温环境下稳定运行。
6. 符合 RoHS 标准，绿色环保。
IPD031N03L G 广泛应用于需要高效能和小体积的场景中，例如：
1. 开关模式电源 (SMPS)。
2. DC-DC 转换器。
3. 电机驱动与控制。
4切换。
5. 电池管理系统 (BMS)。
6. 各种消费类电子产品中的功率管理模块。
IPD030N03L G, IPD032N03L G
